El proceso RIE (grabado iónico reactivo) es un proceso de grabado en seco que se utiliza principalmente en la producción de electrónica y microelectrónica para la limpieza o activación rápida de superficies, para la limpieza de fotorresistencias o para la estructuración de circuitos en obleas semiconductoras.

Para ello se utiliza generalmente un reactor de placa plana, como se muestra esquemáticamente en la figura 1. Si se aplica a los electrodos una tensión alterna de alta frecuencia a una presión negativa del orden de 10-2 a 10-1 mbar, se enciende una descarga de gas a baja presión (plasma). Debido a la diferente movilidad de las partículas de gas cargadas en el plasma (iones pesados, electrones ligeros), se acumula un potencial negativo en el electrodo más pequeño, el llamado potencial de autodesviación. Este potencial oscila entre unos 10 y unos 100 voltios.

Ahora se producen dos efectos en los sustratos (obleas, placas de circuitos impresos, etc.) que se encuentran sobre el electrodo más pequeño cuando se utilizan los gases de proceso correctos:

1. Eliminación química de la superficie del sustrato o de las impurezas existentes mediante la reacción con partículas reactivas del plasma (grabado por plasma)
2. Eliminación física por transferencia directa del momento de iones acelerados en el campo eléctrico a la superficie (grabado por pulverización catódica)

El proceso RIE combina las ventajas de ambos efectos: alta selectividad, alta velocidad de grabado y eliminación anisotrópica.