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El proceso RIE (reactive ion etching) es un proceso de grabado en seco utilizado en la fabricación electrónica y microelectrónica. Sus aplicaciones son, por ejemplo, la limpieza rápida y ultra-alta de superficies, la activación de superficies, la eliminación de fotosíntesis y el grabado de semiconductores
Para este proceso se suele utilizar un reactor de placas planas (véase la figura 1). Después de generar una atmósfera gaseosa con una presión de 10-2 a 10-1 mbar, la descarga de gas (plasma) se enciende aplicando una tensión RF. Debido a la diferente movilidad de los electrones ligeros y de los iones pesados en el campo eléctrico, se acumula un potencial DC negativo en el electrodo más pequeño (portador del sustrato). Este potencial de autodesviación suele ser de unos 10 a unos pocos cientos de voltios.